該產品采用H橋電路結構設計，內部集成N溝道和P溝道功率MOSFET，特別適合驅動線圈、馬達等感性負載。電路內部集成過溫保護，當電路內部溫度超過設定值時，關斷負載電流。當電路的結溫下降到預設溫度時，電路返回正常工作狀態；但電路不具有短路保護功能，當輸出對地短路、輸出對電源短路、輸出端短路時易導致電路損壞，使用時應避免發生短路，或者加入限流措施避免發生類似損壞。邏輯控制電源VCC與功率電源VDD內部完全獨立，實際使用中應分開布線，禁止將VCC與VDD直接接到一起，以防止VDD高壓對電路VCC端造成損傷。在電子鎖等應用中，當邏輯輸入信號INA\INB的高電平電壓大于2.4V時，VCC可以懸空。

特性:

       低待機電流(小于0.1uA)

      工作電壓范圍：2V-8V

      持續輸出電流：1.3A(VDD=4.5V)

      峰值輸出電流：1.5A(VDD=4.5V)低導通內阻—500毫安輸出電流時，內阻0.44歐姆較小的輸入電流

      邏輯輸入INA\INB集成15K對地下拉電阻內置帶遲滯效應的過熱保護電路(TSD)

      抗靜電等級：3KV(HBM)

應用: 

       2-4節AA/AAA干電池供電的玩具馬達驅動

       2-5節鎳-氫/鎳-鎘充電電池供電的玩具馬達驅動

      1節鋰電池供電的馬達驅動

      電子鎖

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